Contact(접촉) : 노광의 가장 쉬운 투영방법은 마스크를 웨이퍼 위에 직접 올려놓고 회로 패턴을 1:1 크기(마스크 대 웨이퍼 표면)로 형성시키는 것임. 반도체 개발을 시작하던 1960년대에 최초로 이용한 방식으로, 마스크의 형상이 곧바로 웨이퍼로 투영되어 고난도 기술이 필요 없는 노광 기술이다. 노광 장비 중에서도 접촉방식 노광 장비가 가장 저렴하다. 이 기술은 웨이퍼와 마스크가 직접 접촉하다 보니 초점을 맞출 필요가 없지만 파티클(먼지)이 웨이퍼 상에 많아지고 감광막의 변형, 마스크의 마모가 쉽게 발생된다는 단점이 있다.
Proximity(근접투영) : 접촉방식의 단점을 극복하기 위한 차세대 기술로 감광막과 마스크 사이를 띄우는 근접투영 방식이 개발됨. 집적도가 낮은 시기인 1970년 전후에 적용된 방식이다. 빛이 마스크를 통과한 직후 빛의 회절 현상이 발생해 감광막 위에 맺히는 마스크 형상의 초점이 맞지 않아, 마스크와 웨이퍼 사이의 간격(Gap)이 벌어질수록 더욱 흐릿한 이미지가 맺히게 된다. 감광막을 현상할 때 패턴이 명확하게 형성되지 않는다는 것은 심각한 단점이었다. 근접방식도 거의 1:1크기로 마스크의 이미자가 투영되고 오염이나 감광막 손상이 없어지는 장점이 있지만, 노광에서 가장 중요한 형상(회로 패턴)이 표면에 정확하게 맺히지 않고 이미지도 Gap에 비례하여 커지게 되어 다른 방식이 필요